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　　微纳电子技艺2008年第10期微纳电子技艺2008年第10期 “微纳电子技艺”2008年第10期 专家论坛 P559-InP中的深能级杂质与缺陷 纳米器件与技艺 P568-纳米尺寸自旋阀中电流驱动的自旋波发射 P573-功率VDMOSFET单粒子效应斟酌 P577-高压VDMOSFET击穿电压优化安排 纳米资料与构造 P580-纳米TiO光催化降解次甲基蓝的影响要素斟酌2 P586-磁场内双声子效率对量子点中极化子的影响 P590-ZnO纳米线及其器件斟酌发扬 MEMS器件与技艺 P597-电磁勉励微谐振式传感器的安排与筑制 P...

　　微纳电子技艺2008年第10期 “微纳电子技艺”2008年第10期 专家论坛 P559-InP中的深能级杂质与缺陷 纳米器件与技艺 P568-纳米尺寸自旋阀中电流驱动的自旋波发射 P573-功率VDMOSFET单粒子效应斟酌 P577-高压VDMOSFET击穿电压优化安排 纳米资料与构造 P580-纳米TiO光催化降解次甲基蓝的影响要素斟酌2 P586-磁场内双声子效率对量子点中极化子的影响 P590-ZnO纳米线及其器件斟酌发扬 MEMS器件与技艺 P597-电磁勉励微谐振式传感器的安排与筑制 P601-声

　　面波传感器检测电途的斟酌 显微、衡量、微细加工技艺与筑设 P606-Si纳米线皮相Ni薄膜孕育工艺 P611-碱性扔光液对硬盘基板扔光中皮相情景的影响 微电子器件与技艺 P615-基于准则CMOS工艺的Si基光发射器件 专家论坛 P559-InP中的深能级杂质与缺陷 121孙聂枫，赵有文，孙同年 (1.中邦电子科技集团公司 第十三斟酌所 专用集成电途邦度重心尝试室，石家庄050051; 2. 中邦科学院 半导体斟酌所，北京100083) 摘要:综述了近年来合于InP中深能级缺陷和杂质的斟酌管事。道论了深能级杂质及缺陷对InP资料本能的紧要影响,先容了深能级瞬态谱,DLTS,、光致发光谱,PL,、热激电流谱,TSC,、正电子寿命谱,PAS,、正电子深能级瞬态谱,PDLTS,等几种斟酌深中央的举措正在斟酌InP时的某些特色,归纳深能级缺陷和电学性子的测试结果～证实了半绝缘InP单晶资料的电学本能、热安宁性、匀称性等与资料中少少深能级缺陷的含量亲密合连,理解了对掺铁和非掺退火两种半绝缘InP资料中深能级缺陷对电学赔偿的影响,评述了对InP中的少少深中央所赢得的斟酌成就和半绝缘InP的酿成机理。 环节词:磷化铟,深能级,杂质,缺陷,退火,电学赔偿,半绝缘,晶体 纳米器件与技艺 P568-纳米尺寸自旋阀中电流驱动的自旋波发射 a,b,ca,b,ca,b,ca,b,ca,b,ca,b,c胡九宁，陈培毅，张磊，任敏，董浩，邓宁 (清华大学a.微电子学斟酌所; b.清华讯息科学与技艺邦度尝试室(筹); c.微纳电子系，北京100084) 摘要:提出了正在纳米赝自旋阀中的电流感到自旋传输矩的磁动力学形容～告成地评释了正在磁纳米众层构造中的电流驱动微波发射和电流感到磁化翻转外象。自旋流极化由正在电导成婚时的自旋流和化学势相联性畛域条款肯定。自旋矩的纵向和横向分量正在自旋阀的电流驱动微波发射和电流感到磁化翻转外象中饰演了分歧的脚色:纵向自旋矩分量肯定了电流感到磁化翻转,CIMS,效应～而横向自旋矩是自旋波发射,SWE,效应所弗成欠缺的。遵循这一外面～由LLG 方程自然获得自旋波发射的双模～差异为横向自旋矩激发的X和Y对象的振动～并惹起磁众层电阻以频率2w或w,进动频率,随时分转变。磁场和自旋流合伙肯定了自旋波发射的频率和功率～这一外面预言了某种额外的磁众层构造～如磁层互相笔直的构造～将具有大得众的微波发射效劳～这一结论仍然被尝试所证据。 环节词:自旋波发射,自旋传输矩,Landau-Lifshitz-Gilbert方程,自旋振荡形式,磁众层 P573-功率VDMOSFET单粒子效应斟酌 段雪，郎秀兰，刘英坤，董四华，崔占东，刘忠山，孙艳玲，胡顺欣，冯彬 (中邦电子科技集团公司第十三斟酌所，石家庄050051) 摘要:阐明了空间辐射情况下n沟功率VDMOSFET爆发单粒子栅穿,SEGR,和单粒子废弃,SEB,的物理机理。斟酌了众层缓冲片面障蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新构造及相应硅栅筑制新工艺。通过对所研制的漏源击穿电压差异为65 V和112 V两种n沟功率VDMOSFET器件样品举行锎源252Cf单粒子模仿辐射尝试～斟酌了新技艺VDMOSFET的单粒子辐射敏锐性。尝试结果证据～两种器件样品正在锎源单粒子模仿辐射尝试中的漏源安静电压差异到达61 V和110 V～验证了新构造和新工艺正在升高功率VDMOSFET抗单粒子效应方面的有用性。 环节词:功率纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,单粒子栅穿,单粒子废弃,缓冲障蔽,锎源 P577-高压VDMOSFET击穿电压优化安排 122厉朝阳,唐晓琦,淮永进 (1.佛山市蓝箭电子有限公司，广东佛山528000; 2.北京燕东微电子有限公司，北京100015) 摘要:通过外面预备～优化了外延层厚度和掺杂浓度～对影响击穿电压的合连构造参数举行安排～商量了VDMOSFET的终端构造。道论了场限环和结终端扩展技艺～提出了终端众区安排思绪～升高了新型构造VDMOSFET的漏源击穿电压。安排了800 V、6 A功率VDMOSFET～同场限环技艺比拟～优化的结终端扩展技艺～节俭芯单方积10.6%～而不加添工艺流程～漏源击穿电压高达882 V～升高了3%～因为芯单方积的缩小～均匀芯片中测及格率升高5%～到达了预期主意～具有很好的经济代价。 环节词:纵向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,击穿电压,结终端扩展, 终端构造,外延层厚度和掺杂浓度 纳米资料与构造 P580-纳米TiO光催化降解次甲基蓝的影响要素斟酌2 11,222111许璞，高善民，黄柏标，戴瑛，徐彦宾，李少英，朱先俊 (1.鲁东大学 化学与资料科学学院，山东 烟台264025; 2.山东大学 晶体资料邦度重心尝试室，济南250100) 摘要:以TiCl为原料～采用水解浸淀法～并正在气氛氛围下于分歧温度煅烧2 h～4 制备获得纳米TiO。采用XRD、TEM及UV-Vis对样品举行外征。正在卤钨灯照2 射下～斟酌了分歧煅烧温度、分歧pH值以及HO的插足等要素对TiO光催222化降解次甲基蓝的影响。结果证据:以水解浸淀法制备的纳米TiO～随煅烧温2度的升高～正在 600 ?滥觞向金红石相蜕化～1 000 ?时全数蜕化为金红石相～而且TiO粒子长大～摄取带边向长波对象转移。锐钛矿相与金红石相共存的纳2 米TiO比纯锐钛矿相和金红石相有更优异的光催化活性～正在卤钨灯下照耀90 min～2 对次甲基蓝的降解率到达97%。 环节词:纳米二氧化钛,锐钛矿相,金红石相,光催化,次甲基蓝 P586-磁场内双声子效率对量子点中极化子的影响 刘延春，李子军 (烟台大学 光电讯息学院，山东烟台264005) 摘要:为卓越双声子互相效率对磁场内量子点中极化子的影响～简化了外面模子～把库仑势对电子质料的影响用电子正在能带中的质料来替代。运用线性组合算符和么正变换对体例举行外面预备～导出了半导体量子点中磁极化子的基态和各片面能量南宫28官方。当探讨电子正在反冲效应中反射和摄取分歧波矢的声子之间互相效率时～道论了这种效率对半导体量子点中磁极化子基态能量的影响。通过数值预备证据～半导体量子点中磁极化子的基态能量随量子点的有用受限长度的减小而缓慢增大～随磁场的加添而加添。当磁场较弱时～声子之间的互相效率对极化子性子的影响是不行渺视的。 环节词:声子互相效率,半导体量子点,磁场,基态能量,极化子性子 P590-ZnO纳米线及其器件斟酌发扬 谌小斑，贺英，张文飞 (上海大学 资料科学与工程学院 高分子资料系，上海201800) 摘要:先容了氧化锌,ZnO,纳米线(NW)的性子～

　　了ZnO NW的气相法、液相法、模板孕育法、自拼装法等制备道理和举措～精细阐明了ZnO NW基光电、压敏和气敏等纳米器件的斟酌近况～如正在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电机、气敏传感器的使用近况。理解了目前ZnO NW器件适用化经过中难以办理的p型掺杂等方面的题目及其正在荧光探针、稀磁半导体资料和自旋电子器件等方面的斟酌和使用趋向～指出以来的斟酌及兴盛对象紧要将纠集正在ZnO缺陷酿成及效率机理的斟酌～ZnO NW荧光探针的制备及其正在生物医学上的使用～分歧构造的ZnO超晶格和大量子阱的制备及其正在自旋电子器件中的使用。 环节词:氧化锌纳米线,纳米器件,光电器件,压敏器件,气敏器件 MEMS器件与技艺 P597-电磁勉励微谐振式传感器的安排与筑制 ，12111高振宁,陈德勇,王军波,毋正伟 (1.中邦科学院 电子学斟酌所 传感技艺合伙邦度重心尝试室，北京100190; 2.中邦科学院 斟酌生院,北京100039) 摘要:欺骗微电子机器加工技艺告成研制出电磁勉励-电磁拾振硅谐振梁式压力传感器。传感器以“H”型双端固支梁为谐振器～采用差分检测构造。工艺筑制采用体硅加工工艺～而且采用一种减小封装应力的构造实行压力传感器的真空密封及封装。欺骗锁相环轻微信号检测技艺设置的开环频率特质测试体例及闭环自激测试体例测试了传感器的频率、压力特质等合连技艺目标。谐振器正在气氛中的品德要素Q值大于1200,正在线 kPa。差分输出的结果优于单个谐振梁的输出结果～差分输出结果的线 Hz/kPa。 环节词:微机电体例,谐振式压力传感器,电磁勉励电磁拾振,差分检测,体硅微加工工艺 P601-声皮相波传感器检测电途的斟酌 李永刚，李炜，朱嘉林 (北京讯息工程学院， 北京100101) 摘要:针对目前声皮相波,SAW,传感器检测电途的差池～通过对SAW传感器信号的特色理解～安排了一种单纯适用的SAW传感器检测电途～低浸了硬件本钱。该电途欺骗直接数字频率合成技艺发生分歧的频率信号～用以勉励分歧谐振频率的声皮相波敏锐元件～正在间歇收发周期从SAW传感器输出信号中提取出反应被衡量的频率信号～通过对该频率的衡量获得被测物理量的转变。通过对SAW传感器的温度尝试～取得了传感器的温度-频率特质～正在较低频率(20 MHz)时检测聪敏度可达1.36 kHz/?,具有较好的一律性,正在较高频率(75 MHz)时检测聪敏度可达2.03 kHz/?,存正在必然缺点。 环节词:声皮相波,传感器,直接数字频率合成,测试电途,延迟线 显微、衡量、微细加工技艺与筑设 P606-Si纳米线皮相Ni薄膜孕育工艺 陈扬文，江素华，邵丙铣，戎瑞芬，汪荣昌，顾志光，王家楫 (复旦大学 资料科学系，上海200433) 摘要:斟酌了Si纳米线皮相Ni薄膜孕育工艺。采用热蒸发法以SiO为肇始原料制备自组孕育的Si纳米线%,体积分数,HF剔除Si纳米线皮相硅氧化合物～采用氩离子磁控溅射的举措正在Si纳米线皮相溅射必然厚度的无定形Ni颗粒～往后对镀Ni的Si纳米线举行完善晶体构造的退火打点。使用高辞别透射电镜,HRTEM,等构造外征东西理解了Si纳米线皮相Ni薄膜的酿成进程～HRTEM结果证据～正在350 ?支配退火获得的Si纳米线皮相能酿成相联的、构造完善的Ni薄膜,退火温度低于300 ?时～皮相溅射的Ni结晶成就较差,退火温度正在800 ?时～皮相Ni薄膜爆发团圆～酿成了分立的纳米颗粒。 环节词:Si纳米线,磁控溅射,镀Ni,退火,薄膜 P611-碱性扔光液对硬盘基板扔光中皮相情景的影响 唐文栋,刘玉岭,宁培桓,田军 (河北工业大学 微电子所，天津300130) 摘要:阐明了化学机器扔光,CMP,技艺正在硬盘基板加工中阐明的紧要效率～ 先容了SiO碱性扔光液的化学机器扔光机理以及扔光液正在化学机器扔光中发2 挥的紧要效率。运用河北工业大学研制的SiO碱性扔光液对硬盘基板皮相扔2 光～理解斟酌了扔光液中的浓度、皮相活性剂以及去除量对扔光后硬盘基板皮相情景的影响机理。总结了硬盘基板皮相粗疏度随扔光液中的浓度、皮相活性剂及去除量的转变秩序以及扔光液的这些参数怎么影响到硬盘基板的皮相情景。正在总结和理解这些秩序的基本上～对扔光结果举行了检测。经检测得出～改革扔光后的硬盘基板皮相质料,Ra=0.3926 nm～Rrms=0.4953 nm,赢得了明显成就。 环节词:硬盘基板,化学机器扔光,扔光液,粗疏度,波纹度,平整度 微电子器件与技艺 P615-基于准则CMOS工艺的Si基光发射器件 黄春红，牛萍娟，杨广华，王伟 (天津工业大学 讯息与通讯工程学院，天津300160) 摘要:基于反偏雪崩击穿的发光道理～依照Chartered 0.35 μm准则CMOS工艺

　　～安排并筑制了一种Si基光发射器件。正在室温下对器件特质举行了发端测试～正引导通电压为0.75 V～反向击穿电压为8.4 V～可以正在一个较宽的电压局限(8.4~12 V)内安宁管事。总结了工艺对器件电学特质的影响～并将该器件构造与Snyman等人斟酌的器件构造举行了对照理解。该器件较强的角落发光正在平面构造的Si基片上集成光互联体例中将会有必然的使用代价。 环节词:互补金属氧化物半导体工艺,Si基光发射器件,角落发光,光电集成电途,光互连

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